第二十三讲 离子注入与离子辅助沉积技术  

No.23:Ion Implantation and Ion Assisted Deposition Technology

作　　者：张以忱[1] ZHANG Yi-chen

机构地区：[1]东北大学,辽宁沈阳110004

出　　处：《真空》2024年第6期85-88,共4页Vacuum

摘　　要：(接2024年第5期112页)图3给出了气体离子注入设备的基本结构。它包括:离子源、聚焦系统、加速系统、分析磁铁、扫描装置和靶室等。离子源的基本作用是产生正离子,其电离室由不锈钢制成,电离室外套有一个电磁线圈。

关 键 词：离子辅助沉积 电磁线圈 电离室 聚焦系统 扫描装置 离子注入 分析磁铁 离子源 

分 类 号：O484[理学—固体物理] TB43[理学—物理]