超宽禁带半导体氧化镓器件热问题的解决策略  

Strategy to Solve the Thermal Issue of Ultra-Wide Bandgap Semiconductor Gallium Oxide Devices

作　　者：刘丁赫 LIU Dinghe

机构地区：[1]不详

出　　处：《电子与封装》2024年第11期86-86,共1页Electronics & Packaging

摘　　要：氧化镓是一种具有超宽带隙(4.5~4.9 eV)以及高达8 MV/cm理论临界击穿场强的半导体材料,在电子器件领域正迅速崭露头角。其以卓越的电子特性被业界广泛看好,有望成为继碳化硅和氮化镓之后的新一代半导体材料,在高频、高功率应用中发挥重要作用。

关 键 词：半导体材料 氧化镓 宽禁带半导体 电子特性 氮化镓 宽带隙 电子器件 碳化硅 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]