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机构地区:[1]桂林电子工业学院通信与信息工程系,桂林541004 [2]华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074
出 处:《材料工程》2002年第11期29-31,47,共4页Journal of Materials Engineering
基 金:国家自然科学基金项目资助 (697710 2 4);广西教育厅基金项目资助 (桂教科研 2 0 0 15 6)
摘 要:采用 Sol- Gel工艺制备了 Si基 Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜。研究了退火温度对 Si基 Bi4 Ti3O1 2 薄膜晶相结构、晶粒尺寸及薄膜表面形貌的影响。研究表明 ,退火温度低于 4 5 0℃时 Bi4 Ti3O1 2 薄膜为非晶状态 ,退火温度在 5 5 0~ 85 0℃范围时均为多晶薄膜 ,而且随退火温度升高 ,Bi4 Ti3O1 2 薄膜更趋向于沿 c轴取向的生长 ;而晶粒尺寸及薄膜粗糙度随退火温度升高而增大 。The ferroelectric thin films of Bi 4Ti 3O 12 on Si substrates were fabricated by Sol Gel technique The effects of the annealing temperature on crystal phase, grain size and surface morphology of Bi 4Ti 3O 12 ferroelectric thin films were studied The results indicate that the Bi 4Ti 3O 12 thin films are amorphous when the annealing temperature is below 450℃, and the Bi 4Ti 3O 12 thin films are polycrystalline when the annealing temperatures are from 550℃ to 850℃ Furthermore, the Bi 4Ti 3O 12 has a higher degree of texture or prefers orientation in the c axis with the increase of the annealing temperature, the grain size and surface roughness increase with the increase of the annealing temperature as well
关 键 词:Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜 铁电薄膜 BI4TI3O12 微观结构 退火温度 硅 钛酸铋
分 类 号:TM223[一般工业技术—材料科学与工程]
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