载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响  

Effects of Carriers Absorption on Mach-Zehnder Interferometer Electrooptical Modulator in Silicon-on-Insulator

作　　者：严清峰[1] 余金中[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第12期1308-1312,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :69990 5 40 ;698962 60 ) ;国家重点基础研究发展规划 (No.G2 0 0 0 -0 3 -66)资助项目~~

摘　　要：分析了载流子吸收对 SOI材料制作的 Y分支型 Mach- Zehnder干涉型电光调制器 /开关性能的影响 。The effects of carriers absorption on Mach Zehnder interferometer electrooptical modulator based on silicon on insulator (abbreviated as SOI) are analyzed theoretically and some measures to improve device performance are proposed as well.

关 键 词：载流子吸收 SOI 等离子色散效应 Mach-Zehnder干涉 电光调制器 硅基光波导器件 工作原理 

分 类 号：TN761[电子电信—电路与系统]