云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 严清峰

严清峰: 作品数：16被引量：30H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：SOI集成光学光开关电光开关刻蚀更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《激光与红外》《半导体光电》《光纤与电缆及其应用技术》《光子技术》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>

SOI波导弯曲损耗影响因素的分析被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2005年第z1期216-219,共4页陈媛媛余金中严清峰陈少武; 国家自然科学基金(批准号:60336010),国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000-03-66),国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312060)资助项目; 采用有效折射率方法EIM(effectiveindex method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(silicon-on-insulator)波导弯曲损耗的几种影响因素进行了分析.通过模拟发现弯曲损耗随弯曲半径的增大、波导宽度的增加及内外脊高比的减小而减小.同时,改...; 关键词：SOI 弯曲波导弯曲损耗集成光学

ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2004年第11期1500-1504,共5页樊中朝余金中陈少武杨笛严清峰王良臣; 国家自然科学基金 (批准号 :698962 60 );国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 66);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 AA3 12 0 60 )资助项目~~; 研究了以 C4 F8/SF6 /O2 为刻蚀气体 ,利用 ICP刻蚀技术制作 SOI脊形光波导过程中 ,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系 .实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数 ,在低偏压、低 C4 F8/SF6 比和较高压强下更容易获得低粗...; 关键词：SOI ICP 粗糙度脊形光波导

SOI Waveguides Fabricated by Wet-Etching Method: 《Journal of Semiconductors》2003年第10期1025-1029,共5页王小龙严清峰刘敬伟陈少武余金中; 国家重点基础研究发展规划 (编号 :G2 0 0 0 0 36 6 );国家高技术研究发展计划 (编号 :2 0 0 2AA312 0 6 0 );国家自然科学基金 (批准号 :6 9990 5 40 ,6 9896 2 6 0 )资助项目~~; SOI waveguides fabricated by wet-etching method are demonstrated.The single mode waveguide and 1×2 3dB MMI splitter are analyzed and designed by three dimensional beam propagation method to correct the error of effec...; 关键词：SOI wet-etching multimode interference single mode waveguide

从OFC2003看平面光波导器件的发展动向被引量：4: 《光电子．激光》2003年第10期1124-1128,共5页严清峰余金中陈少武; 概述了2003年OFC会议上报道的平面光波导器件,着重介绍了平面光波导器件在新材料、新工艺、新结构方面的新进展和发展方向。; 关键词：平面光波导器件平面光波导集成回路 OFC2003 材料飞秒激光直写极化诱导直写发展方向

一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计被引量：2: 《光子学报》2003年第5期555-558,共4页严清峰余金中; 国家自然科学重大基金 ( 69990 5 40;698962 60 );"九七三"(G2 0 0 0 0 3 66)资助项目; 在超紧缩双曲锥形 3dB多模干涉耦合器的基础上 ,设计了一种新的Silicon on insulator(SOI)Mach Zehnder干涉型电光调制器与传统的Y分支器相比 ,双曲锥形 3dB耦合器的制作容差大 ,而长度缩短了近 30 % ,使得整个器件的尺寸大幅减小 ...; 关键词：SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器多模干涉耦合器等离子色散效应硅基光波导器件

采用绝缘体上的半导体技术制备集成的多模干涉型光耦合器和光开关(英文)被引量：1: 《中国科学院研究生院学报》2003年第1期1-6,共6页余金中魏红振严清峰夏金松张小峰; supportedbyNationalMinistryofScienceandTechnology(G2 0 0 0 0 3 666)andtheNationalSeienceFoundationofChina(698962 60and69990 5 40 ); 在光学系统中,SOI(绝缘体上的半导体)上制备集成的MMI(多模干涉)型光耦合器已成为一种愈来愈引人注目的无源器件.由于Si和SiO2 之间具有大的折射率差,在SOI波导中可以采用SiO2 薄膜( <1.0 μm)作限制层,这与超大规模集成电路工艺相兼容...; 关键词：绝缘体半导体制备多模干涉光耦合器光开关集成光学 SOI技术

SOI光电子集成被引量：4: 《功能材料与器件学报》2003年第1期1-7,共7页余金中严清峰夏金松王小龙王启明; 国家自然科学基金(No.69896260;69990540);国家科技部"973"计划(No.G2000-03-66)资助项目; SOI(Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与CMOS工艺完全兼容,可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展,着重分析几种最新型光无...; 关键词：SOI 光电子集成电路光波导 SOI光波导开关阵列波导光栅 SOI基光探测器

Design and Fabrication of Ultracompact 3-dB MMI Coupler in Silicon-on-Insulator被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2003年第2期133-136,共4页严清峰余金中刘忠立; 国家自然科学基金 (批准号 :69990 5 40 ;698962 60 );国家重点基础研究发展规划 (编号 :G2 0 0 0 0 3 66)资助项目~~; An ultracompact 3 dB coupler is designed and fabricated in silicon on insulator,based on 1×2 line tapered multimode interference (MMI) coupler.Comparing with the conventional straight MMI coupler,the device is ～4...; 关键词：multimode interference coupler line tapered waveguide silicon on insulator

束传播算法与边界条件的分析和应用: 《光子技术》2003年第1X期24-29,共6页李艳萍余金中夏金松严清峰陈媛媛; 详细介绍了波导器件的模拟方法--束传播算法(BPM)和完好匹配层(PML)边界条件的基本原理,并给出基于有限差分的BPM的应用实例.针对算法中所采用的近似,给出BPM的适用范围和基于有限差分的束传播算法的优化方案.; 关键词：束传播算法边界条件完好匹配层有限差分光波导器件

SOI电光开关中热光效应分析被引量：1: 《光电子．激光》2003年第1期1-4,共4页严清峰余金中; 国家自然科学重大基金资助项目 (69990 5 40 698962 60 ) ;国家"九七三"资助项目 (G2 0 0 0 0 3 66); 分析了 SOI(silicon- on- insulator) 2× 2电光开关工作时热光效应对等离子色散效应的影响。采用二维半导体器件模拟器 PISCES- 对器件进行了模块。结果表明 ,热光效应对等离子色散效应的影响与调制区长度密切相关 ,当调制区长度较短...; 关键词：电光开关等离子色散效应热光效应 SOI

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