SOI Waveguides Fabricated by Wet-Etching Method  

湿法腐蚀制备的SOI光波导(英文)

作　　者：王小龙[1] 严清峰[1] 刘敬伟[1] 陈少武[1] 余金中[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第10期1025-1029,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划 (编号 :G2 0 0 0 0 36 6 );国家高技术研究发展计划 (编号 :2 0 0 2AA312 0 6 0 );国家自然科学基金 (批准号 :6 9990 5 40 ,6 9896 2 6 0 )资助项目~~

摘　　要：SOI waveguides fabricated by wet-etching method are demonstrated.The single mode waveguide and 1×2 3dB MMI splitter are analyzed and designed by three dimensional beam propagation method to correct the error of effective index method and guided mode method.The devices are fabricated.Excellent performances,such as low propagation loss of -1.37dB/cm,low excess loss of -2.2dB,and good uniformity of 0.3dB,are achieved.用化学湿法腐蚀的方法制作了SOI光波导 ,并且用三维波束传播方法分析和设计了单模波导和 1× 2 3dB多模干涉分束器 ,修正了有效折射率和导模传输方法的误差 .制作的器件具有低传输损耗 (- 1 37dB/cm)、低附加损耗 (- 2 2dB)、良好的均衡性 (0 3dB)等优良性能 .

关 键 词：SOI wet-etching multimode interference single mode waveguide 

分 类 号：TN252[电子电信—物理电子学]