ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响  

Influence of Etching Parameters on Sidewall Roughness of Silicon Based Waveguide Etched by Inductively Coupled Plasma

作　　者：樊中朝[1] 余金中[1] 陈少武[1] 杨笛[1] 严清峰[1] 王良臣[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第11期1500-1504,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :698962 60 );国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 66);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 AA3 12 0 60 )资助项目~~

摘　　要：研究了以 C4 F8/SF6 /O2 为刻蚀气体 ,利用 ICP刻蚀技术制作 SOI脊形光波导过程中 ,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系 .实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数 ,在低偏压、低 C4 F8/SF6 比和较高压强下更容易获得低粗糙度的侧壁 .通过优化刻蚀参数 ,获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的The relationship between the side-wall roughness of SOI rib-waveguide etched by C 4F 8/SF 6/O 2 inductively coupled plasma (ICP) and the etching parameters is studied.The experimental results show that bias voltage,ratio of C 4F 8/SF 6 and pressure affect the side-wall roughness seriously.To minimize the roughness on waveguide sidewall,lower bias voltage,lower C 4F 8/SF 6 ratio and higher pressure etching condition are preferred.By optimizing the etching parameters,waveguides with smoother side-walls and smaller propagation loss are fabricated successfully.

关 键 词：SOI ICP 粗糙度 脊形光波导 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]