半导体漂移-扩散方程解的上下界整体估计  

Global Upper and Lower Bounds of Solutions to the Drift-diffusion Semiconductor Equations

作　　者：邢家省[1] 周毅[2] 

机构地区：[1]北京航空航天大学应用数学系,北京100083 [2]郑州防空兵学院,郑州450052

出　　处：《郑州大学学报（理学版）》2002年第4期1-9,共9页Journal of Zhengzhou University:Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金资助项目 ( 199710 11);北航理学院科研基金资助项目

摘　　要：考虑漂移 -扩散半导体方程瞬态解的整体有界性估计问题 .在迁移率和产生 -复合满足适当条件下 ,应用 Stampacchia的最大模估计方法 。The global bounded of the time-dependent drift-diffusion model for semiconductor devices is studied. Under certain assumptions on the mobilities and generation-recombination terms, the global bounded estimates of the solutions are proved by using Stampacchia-type estimation technique.

关 键 词：漂移-扩散方程 解 上下界整体估计 半导体方程 整体有界性 最大模估计方法 

分 类 号：O175.29[理学—数学]