多项目晶圆(MPW wafer)在引线键合塑封中的常见问题分析  

作　　者：程传芹 蔡晓峰 程晋红 张洪波 何良孝 

机构地区：[1]宏茂微电子(上海)有限公司

出　　处：《中国集成电路》2025年第3期81-85,共5页China lntegrated Circuit

摘　　要：随着半导体工艺的更新迭代,晶圆的生产加工成本越来越高,很多研发机构和起步阶段的科技公司会选择多项目晶圆方式来缓解成本压力。但因多项目晶圆是多颗芯片共用一片晶圆,芯片分布不像普通量产晶圆那么规则,且单颗芯片的研磨厚度、上片(DA)材料等不能单独管控,在封装作业过程中会有很多的潜在风险,如误吸、线弧净空不足、未灌满等问题。因此,在芯片的研发阶段和封装导入阶段,需要充分考量并评估设计及封装的可行性,提前规避问题的发生,以降低各方面损失。

关 键 词：多项目晶圆 封装 常见问题 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]