多项目晶圆

作品数：41被引量：12H指数：3
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多项目晶圆(MPW wafer)在引线键合塑封中的常见问题分析
《中国集成电路》2025年第3期81-85,共5页程传芹 蔡晓峰 程晋红 张洪波 何良孝 
随着半导体工艺的更新迭代,晶圆的生产加工成本越来越高,很多研发机构和起步阶段的科技公司会选择多项目晶圆方式来缓解成本压力。但因多项目晶圆是多颗芯片共用一片晶圆,芯片分布不像普通量产晶圆那么规则,且单颗芯片的研磨厚度、上片(...
关键词：多项目晶圆 封装 常见问题 
科技点滴
《新华文摘》2024年第16期127-127,共1页
柔性薄膜电子产品的多项目晶圆,柔性和大面积电子产品依靠薄膜晶体管(TFT)来制造显示器、大面积图像传感器、微处理器、可穿戴医疗贴片、数字微流体等。虽然硅基互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片是在一个晶圆上使用多个芯片制造的,而且...
关键词：图像传感器 柔性电子 芯片制造 柔性薄膜 电子产品 多项目晶圆 CMOS芯片 大面积电子 
基于多项目晶圆流片的规模化光子集成技术被引量：3
《激光与光电子学进展》2017年第5期1-9,共9页郑秀 刘永 
国家自然科学基金(61090393;61421002);核心电子材料与器件协同创新中心基金(ICEM2015-1001)
随着光网络通信容量的高速增长,将分立的光学器件集成化以减小器件尺寸、降低成本成为光电子器件发展的必然趋势。光子集成回路具有尺寸小、功耗低、质量轻等优点,是解决未来宽带光网络能耗大、体积大、容量小等问题的关键技术。综述了...
关键词：集成光学 光子集成器件 多项目晶圆流片 光子集成回路 硅基光电子学 磷化铟 
多项目晶圆概念及其版图排版规则分析
《集成电路应用》2017年第2期44-46,共3页杨跃胜 
介绍两种流片方式生产的晶圆,即单项目晶圆和多项目晶圆,阐述单项目晶圆和多项目晶圆的区别,并以芯片产业化测试的角度提出了多项目晶圆在流片之前进行版图排版设计注意事项,多项目晶圆排版可根据此文建议方式灵活运用。
关键词：多项目晶圆 单项目晶圆 版图 WAFER 
针对60GHz无线连接的集成远端光接入单元的光学特性被引量：1
《集成电路应用》2016年第6期38-42,共5页K.Rylander S.Latkowski E.Bente R.Broeke D.Tsiokos N.Pleros A.Sosa T.Tekin A.Bakker 王博文 王杰 
光载无线通信(Radio-Over-Fiber,Ro F),60GHz无线(片上带宽10-20 GHz)和光纤到户(FTTH)服务集成在一起,获得了远端光接入单元的设计和实际测量结果。在多晶圆项目(Multi-project Wafer,MPW)的框架下,成功制备基于磷化铟(In P)的芯片,并...
关键词：特殊应用集成光路 多项目晶圆 通用集成技术 工艺设计工具包 
在不同的半导体制造技术间高效转换集成光路设计的方法被引量：2
《集成电路应用》2016年第4期26-29,共4页A.Sosa K.Welikow R.Broeke A.Bakker D.Tsiokos T.Tekin N.Pleros 王博文 王杰 
针对60GHz的光纤到户无线通信应用,我们设计了一种基于磷化铟的远端接入点集成光子芯片[1]。在多项目晶圆的框架下,为了确保芯片能满足截止日期的要求,我们选取了两个不同的晶圆厂流片。在设计过程中,我们仔细检验了设计方法,从需要满...
关键词：集成光路 多项目晶圆 光子设计自动化流程 工艺设计工具包 设计转换 
针对60GHz无线连接的集成远端光接入单元的设计被引量：4
《集成电路应用》2016年第3期25-28,共4页K.Welikow A.Sosa R.Broeke D.Tsiokos N.Pleros A.Bakker T.Tekin 王博文 王杰 
远端光接入点的设计是将光载无线通信（Radio-Over-Fiber,RoF）,60GHz无线（片上带宽10~20GHz）和光纤到户（FTTH）服务集成在一起。器件在磷化铟的芯片上集成了若干可调无线电频率的发射器和光学接收器。可以在1 500到1 570nm波长范围...
关键词：集成光路 多项目晶圆 通用集成技术 工艺设计工具包 
艾迈斯半导体公布2016年多项目晶圆制造服务计划
《中国集成电路》2015年第12期8-8,共1页
艾迈斯半导体（AMS）晶圆代工事业部近日公布其快速、低成本的集成电路原型服务，该服务被称为多项目晶圆（MPW）或往复运行（shuttle run），以及更新的MPW2016年度服务计划表。该服务将不同客户的多种设计需求融入单片晶圆设计中，由...
关键词：服务计划 晶圆制造 半导体 IC设计公司 多项目晶圆 晶圆代工 集成电路 生产成本 
考虑缺陷率模型的多项目晶圆布图规划算法被引量：1
《计算机工程》2014年第4期258-261,268,共5页张腾 史峥 廖海涛 
国家自然科学基金资助项目(61204111)
针对随机缺陷会降低多项目晶圆实际产出的问题,提出一种新的多项目晶圆布图规划算法。通过在布图规划中引入缺陷率模型的方法,增加芯片产量的裕量,降低因随机缺陷造成的产量损失。同时优化模拟退火流程,使得在布图尺寸约束条件下,布图...
关键词：多项目晶圆 布图规划 模拟退火算法 代价函数 缺陷率模型 布图尺寸约束 
中芯国际启动28nm新工艺
《中国集成电路》2014年第3期2-2,共1页
中芯国际近日宣布，公司正式进入28nm工艺时代。公司表示，启动28nm新工艺后，公司将可为全球集成电路设计商提供包含28nm多晶硅（Poly—SiON）和28nm高介电常数金属栅（HKMG）在内的多项目晶圆（MPW）服务。
关键词：工艺 国际 集成电路设计 多项目晶圆 高介电常数 金属栅 多晶硅 
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