“第三代半导体功率电子封装技术”专题前言  

作　　者：田艳红[1] 

机构地区：[1]哈尔滨工业大学

出　　处：《电子与封装》2025年第3期1-2,共2页Electronics & Packaging

摘　　要：以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为首的第三代半导体材料,具有高禁带宽度、高电子迁移率和高热导率等优势,可以显著提升高功率电力电子器件的系统性能和可靠性,实现更高效的能源转换、更快速的数据传输和更强劲的信号传导,在现代电子系统中发挥着关键作用,其应用范围涵盖新能源汽车、光伏储能、电力传输、高速列车以及航空航天等诸多关键领域。根据市场研究机构预测。

关 键 词：市场研究机构 新能源汽车 现代电子系统 电力电子器件 能源转换 航空航天 电子封装技术 电力传输 

分 类 号：F42[经济管理—产业经济]