多层金属化中的钨插塞技术  

Technology of Tungsten Plug in Multi-layer Metallization

作　　者：李红征[1] 谢一强[1] 

机构地区：[1]信息产业部电子58所,无锡214035

出　　处：《微电子技术》2003年第1期13-15,共3页Microelectronic Technology

摘　　要：本文介绍了亚微米ULSI工艺中 ,采用钨插塞 (TungstenPlug)制作接触孔与通孔的技术 ,对于WCVD、WEtchback及其常见工艺问题作了一些分析 ,此项技术已经用于C 0 5电路的工艺流片。The technology of tubgsten plug to make contacts and via holes in sub-micron processing of ULSI is introduced in the paper. Analysis has been developed for WCVD; Wetch-back; and some problems usually found in processing. The technology has been used in IC production of C05.

关 键 词：多层金属化 钨插塞 台阶覆盖 覆盖式钨淀积 WCVD 粘着层 钨反腐 CMOS集成电路 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]