检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
出 处:《微电子技术》2003年第1期13-15,共3页Microelectronic Technology
摘 要:本文介绍了亚微米ULSI工艺中 ,采用钨插塞 (TungstenPlug)制作接触孔与通孔的技术 ,对于WCVD、WEtchback及其常见工艺问题作了一些分析 ,此项技术已经用于C 0 5电路的工艺流片。The technology of tubgsten plug to make contacts and via holes in sub-micron processing of ULSI is introduced in the paper. Analysis has been developed for WCVD; Wetch-back; and some problems usually found in processing. The technology has been used in IC production of C05.
关 键 词:多层金属化 钨插塞 台阶覆盖 覆盖式钨淀积 WCVD 粘着层 钨反腐 CMOS集成电路
分 类 号:TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]
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