谢一强

作品数：2被引量：4H指数：1
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发文主题：插塞CMOS集成电路钨反腐多层金属化更多>>
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多层金属化中的钨插塞技术被引量：3
《微电子技术》2003年第1期13-15,共3页李红征 谢一强 
本文介绍了亚微米ULSI工艺中 ,采用钨插塞 (TungstenPlug)制作接触孔与通孔的技术 ,对于WCVD、WEtchback及其常见工艺问题作了一些分析 ,此项技术已经用于C 0 5电路的工艺流片。
关键词：多层金属化 钨插塞 台阶覆盖 覆盖式钨淀积 WCVD 粘着层 钨反腐 CMOS集成电路 
采用外接恒流源对注入机进行剂量校准被引量：1
《微电子技术》2002年第3期54-56,共3页谢一强 李红征 
本文作者采用KEITHLEY 2 2 0型可编程电流源对半导体生产中的关键工艺设备EATONNV6 2 0 0A进行剂量校准 ,确保离子注入设备的精确计量。本文对于测试原理及校准过程作了详细论述。目前这一监控手段已用于实际生产 。
关键词：剂量 束流 区域 束流放大器 BCA 
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