Ⅲ-Ⅴ族宽禁带含氮三元混晶半导体禁带宽度的计算  

The Band Gap Calculation of Wide-Gap Ternary Compound Nitride Semiconductors in Group Ⅲ-Ⅴ

作　　者：于晓龙[1] 班士良[1] 

机构地区：[1]内蒙古大学理工学院物理系,内蒙古呼和浩特010021

出　　处：《内蒙古大学学报（自然科学版）》2003年第2期235-237,共3页Journal of Inner Mongolia University：Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60166002)

摘　　要：使用简化相干势近似(SCPA)计算了 — 族三元混晶InGaN的禁带宽度.结果表明,该方法与实验数据吻合较好,可用于 — 族含氮三元混晶相关常数的计算.The simple coherent potential approximation(SCPA) is developed to calculate the energy band gap Eg of the ternary mixed crystal(TMC) InGaN in group Ⅲ-Ⅴ.The result shows that the SCPA method is better in calculating the coefficients of Nitride TMC in group Ⅲ-Ⅴ.

关 键 词：INGAN 三元混晶 SCPA 禁带宽度 

分 类 号：O471.3[理学—半导体物理]