超深亚微米(VDSM)Foundry(二)——数模混合电路和射频电路  

作　　者：张汝京[1] 杨士宁 刘越[3] 

机构地区：[1]中芯国际 [2]中芯国际逻辑技术发展及制造中心 [3]北京大学

出　　处：《中国集成电路》2003年第46期69-72,共4页China lntegrated Circuit

摘　　要：本刊特约中芯国际张汝京总裁等为本刊撰写了系列文章,介绍中芯国际目前已具备的工艺手段和所达到的技术水准。其它公司的情况,本刊将陆续发表,以飨读者。 1.数模混合电路(MS-Mixed Signal)和射频电路(RF-Radio Frequency)中的主动元件和被动元件。数模混合电路和射频电路中的 CMOS 电路必须与 logic 电路相兼容。其主动元件或称有源元件(Active Devices)

关 键 词：超深亚微米 VDSM 数模混合电路 射频电路 电容器 电阻器 NMOS变容器 厚金属薄膜电感器 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学] F426.6[经济管理—产业经济]