云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- VDSM

VDSM: 作品数：10被引量：2H指数：1; 导出分析报告; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>; 相关作者：刘越马光胜杜振军刘辉华严晓浪更多>>; 相关机构：北京大学哈尔滨工程大学电子科技大学浙江大学更多>>; 相关期刊：《中国集成电路》《电子质量》《哈尔滨工程大学学报》《半导体技术》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>

Design for manufacturability of a VDSM standard cell library: 《Journal of Semiconductors》2012年第2期143-148,共6页Zhou Chong Chen Lan Zeng Jianping Yin Minghui Zhao Jie; supported by the National Major Specialized Program of China(Nos.2008ZX01035-001-07,2009ZX02023-4-2); This paper presents a method of designing a 65 nm DFM standard cell library.By reducing the amount of the library largely,the process of optical proximity correction（OPC） becomes more efficient and the need for larg...; 关键词：design for manufacturability reduced standard cell library layout optimization optical simulation YIELD

VDSM集成电路互连特性及RC延迟研究被引量：1: 《半导体技术》2008年第1期68-72,共5页邝嘉黄河; 国家自然科学基金资助项目(60076013); 利用多层金属导体寄生电容模型，详细分析了不同的金属互连线参数对寄生电器的影响．并采用一个闭合公式对超深亚微米级集成电路中的RC互连延迟进行估计。结果表明，当金属导线的纵横比接近2时，线间耦舍电容对互连总电容的影响将占主...; 关键词：超深亚微米寄生电容互连时间延迟

双阈值电压与电源门控设计优化流程方案: 《电子设计技术 EDN CHINA》2006年第5期82-82,84,86,88,共4页Kaijian Shi; 使用双阖值电压门限（VTH）的设计优化方法与流程可以在高度自动化的情况下达到功率和时序两方面的优异结果。这种双VTH方法对VDSM（极深亚微米）芯片非常重要，此时降低的VTH不光会改进性能，而且还会增加静态泄漏功率。; 关键词：设计优化阈值电压流程方案门控电源深亚微米 VDSM 自动化功率

一种基于遗传算法的VDSM IC电源网格动态IR-drop分析新方法被引量：1: 《电路与系统学报》2006年第1期1-5,共5页张培勇严晓浪史峥; 国家863计划资助项目(2002AA1Z1460); 提出了一种用于超深亚微米集成电路电源网格IR-drop验证的新方法。该方法以遗传算法为基础,与已有的分析方法相比,该方法兼具静态IR-drop分析法和动态IR-drop分析法的优点,适用于包含大型组合模块的超大规模集成电路,可主动寻找电路中最...; 关键词：VLSI CMOS 电源网格分析组合电路

VDSM ULSI布局布线优化设计研究: 《电子质量》2004年第7期65-67,共3页薛振华李惠军陈慧凯; 本文基于超大规模集成电路特征尺寸进入超深亚微米层次下的金属互连(Interconnects)特性,研究并提出了布局布线优化步骤:局部布局和搜索提炼、轨道分配和搜索修补。并结合synopsys公司的超深亚微米布局布线系统APOLLO-Ⅱ有效地解决了...; 关键词：超大规模集成电路超深亚微米金属互连布局布线 VDSM ULSI

超深亚微米(VDSM)Foundry(一)——逻辑电路: 《中国集成电路》2003年第44期28-33,共6页张汝京杨士宁刘越; 微电子制造加工技术水平一直制约着我国微电子技术的提高,近年来,将有一批先进的制造加工线在我国建成投产。中芯国际集成电路制造(上海)公司,就是其中之一。该公司,投产一年来进展顺利,2002年底即达到每月投片8英寸硅片3万片的产能。...; 关键词：微电子制造加工技术超深亚微米逻辑电路

超深亚微米(VDSM)Foundry(二)——数模混合电路和射频电路: 《中国集成电路》2003年第46期69-72,共4页张汝京杨士宁刘越; 本刊特约中芯国际张汝京总裁等为本刊撰写了系列文章,介绍中芯国际目前已具备的工艺手段和所达到的技术水准。其它公司的情况,本刊将陆续发表,以飨读者。 1.数模混合电路(MS-Mixed Signal)和射频电路(RF-Radio Frequency)中的主动元件...; 关键词：超深亚微米 VDSM 数模混合电路射频电路电容器电阻器 NMOS变容器厚金属薄膜电感器

超深亚微米(VDSM)Foundry(三)——各种存储器: 《中国集成电路》2003年第48期67-71,共5页张汝京杨士宁刘越; 本刊特约中芯国际张汝京总裁等为本刊撰写了系列文章,介绍中芯国际目前已具备的工艺手段和所达到的技术水准。其它公司的情况,本刊将陆续发表,以飨读者。; 关键词：超深亚微米 VDSM 存储器 EPROM OTPROM FLASH存储器

考虑噪声效应的VDSM延时测试生成方法: 《哈尔滨工程大学学报》2003年第4期431-435,共5页杜振军马光胜冯刚; 国家自然科学基金资助项目(69973014); 为了解决超深亚微米芯片的延时测试问题,首先提出了一种新的基于布尔过程论的逻辑级噪声预测方法,用波形多项式描述的同时发生的跳变数来预测噪声大小,并生成能产生最大跳变数目的输入波形;然后同基于波形敏化的长敏化通路选择法相结合...; 关键词：延时故障测试噪声效应布尔过程论可敏化通路

面向互连的综合策略: 《贵州工业大学学报（自然科学版）》2002年第4期8-11,共4页马光胜杜振军; 国家自然科学基金资助项目 (69973 0 14 ); VDSM (超深亚微米 )设计中互连线延迟已在电路延迟中起到决定性作用。在前期设计阶段考虑互连延迟问题已是当前研究的重要课题。建立以互连为中心的综合方法是当前的一个棘手问题 ,尚未有成熟的方法。提出一种面向互连延迟的综合策略 ,...; 关键词：综合策略超深亚微米 Boole过程论互连延迟 VDSM 设计门电路电路延迟线网规划布局规划

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