X光纳米充刻掩模的离子束制备法  

作　　者：韩勇[1] 彭良强[1] 巨新[1] 伊福廷[1] 张菊芳[1] 吴自玉[1] 

机构地区：[1]中国科学院高能物理所，北京100039

出　　处：《Beijing Synchrotron Radiation Facility》2001年第2期117-118,共2页北京同步辐射装置（英文版）

摘　　要：重离子柬轰击聚碳酸酯后．对样品进行陈化和紫外线照射数化，在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的钥纳米线／聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的腌膜。

关 键 词：X光 纳米结构 光刻 纳米线 掩模 核孔膜 电化学沉积 离子束制备法 高能重离子 

分 类 号：O571.33[理学—粒子物理与原子核物理] TB383[理学—物理]