GaAs基谐振腔增强型光电探测器  

作　　者：梁琨[1] 杨晓红[1] 吴荣汉[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所，集成光电子学国家重点联合实验室，北京100083

出　　处：《光子学报》2002年第0Z2期345-349,共5页Acta Photonica Sinica

摘　　要：本文报道了利用MBE和MOCVD方法生长外延材料并制作出GaAs基谐振腔增强型光电探测器，进行理论分析和实验研究的结果。

关 键 词：GAAS 谐振腔增强型光电探测器 外延生长 砷化镓 MBE MOCVD RCE光电探测器 光电特性 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]