紧跟CCD器件的CMOS探测器  

作　　者：顾聚兴 

出　　处：《红外》2003年第4期34-36,共3页Infrared

摘　　要：经过数十年的研究与发展,互补金属氧化物半导体(CMOS)探测器有可能在各种应用中取代随处可见的电荷耦合器件(CCD),而且不单单是在成像技术方面。CMOS器件可做在与微处理器使用的芯片相同的芯片上。

关 键 词：CCD器件 CMOS探测器 互补金属氧化物半导体 电荷耦合器件 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]