一种超低插损砷化镓射频开关  

An Ultra Low Insertion Loss GaAs MMIC RF SPDT Switch

作　　者：蒋幼泉[1] 李拂晓[1] 黄念宁[1] 钮利荣[1] 陈新宇[1] 邵凯[1] 杨乃彬[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2003年第2期199-201,共3页Research & Progress of SSE

摘　　要：报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关。该产品在82 0～ 95 0 MHz下 ,插入损耗≤ 0 .4 d B,回波损耗≥ 1 9.5 d B,反向三阶交调截距点≥ 67d Bm,隔离度≥ 1 5 .5 d B,控制电压为 (0 ,+4 .75 V)An ultra low insertion loss GaAs MMIC RF SPDT switch based on full-ion-implantation technology is reported. It features low insertion loss≤0.4 dB, return loss≥19.5 dB, reverse third-order intermodulation intercept P TOI≥64 dBm, isolation≥15.5 dB with control voltage 0 V and +4.75 V.

关 键 词：砷化镓 射频开关 手机 超低插损 单刀双掷 SPDT设计 

分 类 号：TN929.53[电子电信—通信与信息系统] TM564[电子电信—信息与通信工程]