化学液相沉积法制备Al_xO_y薄膜  

Preparation of thin aluminum oxide films by chemical liquid phase deposition

作　　者：饶文雄[1] 孙捷[1] 宋昌烈[1] 李成仁[1] 李淑凤[1] 胡礼中[1] 

机构地区：[1]大连理工大学物理系,辽宁大连116024

出　　处：《哈尔滨工业大学学报》2003年第6期668-670,共3页Journal of Harbin Institute of Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目 ( 697870 0 16988970 1)

摘　　要：给出了用化学液相沉积法 (CLPD)制备AlxO y/Si薄膜的方法 ,室温下生长 2h得到AlxO y/Si薄膜 ,其退火温度为 10 0 0℃ ,退火时间 2h .对薄膜的显微硬度、成分和结构进行了检测和分析 .结果表明 ,薄膜的显微硬度在退火前为 5 2 0 2 .0N/mm2 ,退火后为 14 5 33.5N/mm2 ,增加近 3倍 ;高温退火去掉了膜内的OH-1,同时使薄膜晶化 ,晶体薄膜的O/Al比例为 1 3.Chemical liquid phase deposition (CLPD), A novel and simple physicochemical method is proposed preparation of an Al xO yfilm by depositing at room temperature for 2h, and then annealing at 1 000 ℃ for 2h. The film properties studied in detail were the microhardness, crystallographic structure and O/Al ratio. The microhardness of the film is 14 533.5 N/mm 2 after annealing whereas the original hardness value is 5 202.0 N/mm 2. High temperature annealing not only eliminated OH -1 in the film, but also caused the crystallization of the film. O/Al ratio of the film is 1 3.

关 键 词：化学液相沉积法 氧化铝薄膜 光波导放大器 生长液 硅 双水解过程 退火 显微硬度 晶化 

分 类 号：TG146.21[一般工业技术—材料科学与工程] TQ028.52[金属学及工艺—金属材料]