质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究  

Study of the current-voltage characteristics of n-on-p junction fabricated by proton-implanted molecular beam epitaxial Hg_(1-x)Cd_xTe

作　　者：陈贵宾[1] 李志锋[1] 蔡炜颖[1] 何力[1] 胡晓宁[1] 陆卫[1] 沈学础[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

出　　处：《物理学报》2003年第6期1496-1499,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :10 0 740 68;60 2 440 0 2 );国家重点基础研究项目 (批准号 :G19980 614 0 4)资助的课题~~

摘　　要：基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元 ( 5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n on p结构的p n结 ,并对相应的p n结的电流 电压 (I V)特性进行了研究 .质子注入剂量为 2× 10 1 5cm- 2 时R0 A达 3 12 .5Ω·cm2 ,低温热处理后达 490Ω·cm2 .Large area n-on-p structures of p-n junction with different proton implantation doses are fabricated on the moleculer beam epitaxial grown HgCdTe films for mid-infrared wavelength region. Current-voltage characteristics of the p-n junction are measured at 77K. The zero-bias resistance-area product (R(0)A) of 312.50Omega.cm(2) is obtained when the proton implantation dose is 2 x 10(15) cm(-2), and R(0)A increases to 490Omega.cm(2) after annealing at low temperatures.

关 键 词：质子注入 分子束外延 碲镉汞薄膜 n-on-p结构 p-n结 电流-电压特性 I-V特性 MBE 

分 类 号：O475[理学—半导体物理]