Theoretical Investigation of Pinch off Voltage of Box-Like Ion-Implanted 4H-SiC MESFETs  

离子注入4H-SiC MESFET器件的夹断电压(英文)

作　　者：王守国[1] 张义门[1] 张玉明[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子所

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第7期697-701,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国防预研基金资助项目 (项目号 :8.1.7.3 )~~

摘　　要：A precise theoretical calculation off the pinch of voltage of the box-like ion implantation 4H-SiC MESFETs is investigated with the consideration of the effects of the ion-implanted channel and the depth of MESFETs channel.The implant depth profile is simulated using the Monte Carlo simulator TRIM.The effects of parameters such as temperature,acceptor density,and activation rate on channel depth a,pinch off voltage are studied.考虑离子注入沟道和沟道深度的影响 ,提出了精确的离子注入 4 H- Si C MESFET器件夹断电压的理论计算方法 .注入浓度由蒙特卡罗模拟软件 TRIM提取计算 .研究了温度、外延层受主浓度、注入离子激活率对夹断电压的影响 .

关 键 词：silicon carbide ion implantation MESFET pinch off voltage 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]