检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]杭州电子工业学院电子信息分院,浙江杭州310037
出 处:《杭州电子工业学院学报》2003年第3期34-37,共4页Journal of Hangzhou Institute of Electronic Engineering
摘 要:该文介绍了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号参数提取及其仿真软件的研制。首先,通过一系列公式推导并提出器件的模型,确定外部参数和内部参数。其次,介绍多偏置点优化算法,并且通过实验证明这种方法的优越性。最后,介绍软件界面设计。An optimizing parameter extraction technique and emulation software for high electron-mobility transistor (HEMT) small-signal model is described. Firstly, HEMT's small-signal equivalent circuit is introduced, determining intrinsic and extrinsic elements. Secondly, a multibias decomposition-based optimization method is presented. Lastly, robustness and accuracy tests , using a different set of random starting values , are performed on measured-parameters of HEMT device.
关 键 词:高电子迁移率晶体管 HEMT 小信号等效电路 参数提取 仿真软件
分 类 号:TN32[电子电信—物理电子学]
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