单晶硅中离子注入及快速热退火后浓度分布模型  

MODELING THE CONCENTRATION PROFILES OF IMPLANTED IONS IN CRYSTAL SILICON AFTER RAPID THERMAL ANNEALING

作　　者：周会[1] 郭慧民[2] 田强[1] 

机构地区：[1]北京师范大学物理学系 [2]北京师范大学低能核物理研究所,北京100875

出　　处：《北京师范大学学报（自然科学版）》2003年第3期325-329,共5页Journal of Beijing Normal University(Natural Science)

基　　金：教育部高等学校骨干教师计划资助项目

摘　　要：在考虑B ,P ,As离子注入单晶硅中的浓度分布模型的基础上 ,讨论了快速热退火对 3种注入离子浓度分布的影响 ,提出了 3种离子在快速热退火后浓度分布的修正模型 .由修正后的模型得到的多次离子注入模拟结果与实验结果符合很好 .Through the analysis of experimental results, the influence of rapid thermal annealing (RTA) on the concentration profiles of implanted ions (B, P, As) in crystal silicon is discussed. Three practical models are put forward to simulate the profiles of implanted ions in crystal silicon after RTA. The calculation results and the experimental results fit fairly well.

关 键 词：单晶硅 离子注入 快速热退火 浓度分布模型 工艺模型 退火温度 退火时间 杂质掺杂 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]