Co在Si(100)表面化学吸附的电子结构和性质  

Electronic Structure and Characteristic of Co Chemisorptionon Si (100) Surface

作　　者：危书义[1] 马丽[1] 杨宗献[1] 戴宪起[1] 张开明[2] 

机构地区：[1]河南师范大学物理与信息工程学院,新乡453002 [2]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第10期1040-1043,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：河南省自然科学基金资助项目 (批准号 :0 1110 5 1111)~~

摘　　要：用紧束缚下的Muffin tin轨道线性组合方法研究了单层Co原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附 .计算了Co原子在不同位置时吸附体系的能量 .结果表明 ,Co原子在C位 (四度位 )时吸附最稳定 ,在Co/Si(10 0 )界面存在Co、Si混合层 .同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究 .The adsorption of one monolayer Co atoms on an ideal Si (100) surface is studied by using the self-consistent tight-binding linear muffin-tin orbital method.Energies of adsorption systems of a Co atom on different sites are calculated.It is found that the adsorbed Co atoms are more favorable on C site (four-fold site) than on any other sites on Si(100) surface and a mixed layer of Co and might exist at Co/Si(100) interface.The charge transfer and the layer projected density of states are also studied.

关 键 词：化学吸附 钴 硅 低指数单晶面 金属薄膜 

分 类 号：O472.1[理学—半导体物理]