检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:董玮[1] 阮圣平[1] 张歆东[1] 刘彩霞[1] 贾翠萍[1] 潘建旋[1] 张龙[1] 孙东明[1] 纪平[1] 陈维友[1]
机构地区:[1]吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室,长春130023
出 处:《Journal of Semiconductors》2003年第11期1196-1199,共4页半导体学报(英文版)
基 金:国家 8 63计划 (No.2 0 0 2 AA3 12 0 2 3 );国家自然科学基金 (批准号 :6993 70 10 );吉林省科学计划(No.2 0 0 10 3 19)资助项目~~
摘 要:分析了扭臂驱动结构的上电极端部位移与外加电压之间的关系 ,提出了一种具有倾斜下电极的驱动结构 ,并通过倾斜一定角度的 (111)硅片的各向异性腐蚀制作了倾斜下电极 .理论分析和实验结果表明 ,倾斜下电极的 pull-in电压几乎比平面下电极的 pull- in电压降低一半 .The relation between the applied voltage and the displacement at the end of upper electrode is studied.The actuator with the slanted low electrode is proposed and fabricated with certain tilting angle (111) silicon.Theoretical analysis and experiment results indicate that the pull in voltage based on the slanted low electrode actuator is half of that based on the flat low electrode.
分 类 号:TN256[电子电信—物理电子学] TN929.11
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