检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:Ampere A.Tseng 苏才钧[1] 周兆英[1] 叶雄英[1] 王晓浩[1]
机构地区:[1]清华大学精密仪器与机械学系,北京100084
出 处:《微纳电子技术》2003年第11期1-8,共8页Micronanoelectronic Technology
基 金:美国国家科学基金支持项目(DMI-0002466;CMS-0115828)
摘 要:概述了聚焦离子束直接写入、离子研磨、离子注入及离子沉积技术。介绍了利用聚焦离子束技术在镀金硅片上研磨出的图案及制作出的各种纳米结构。聚焦离子束诱导沉积技术为将在各种科学工程领域应用的多种微结构的实现提供了可能,如聚焦离子束真空封装技术,它可被用来真空封装MEMS器件。An overview of the FIB direct write technique,applications in milling,implantation,and deposition is given.An experiment of milling patterns on top of a gold-coated silicon wafer is carried out to study the FIB milling behavior.FIB has shown to be successful in fabricating a number of nanostructures.FIB-induced deposition shows the realization of a number of microstruc-tures that will find applications in various fields of science and engineering.A good example is the FIB-deposited vacuum encapsulations that can be used for vacuum sealing of MEMS devices.
关 键 词:微加工 聚焦离子束 直接写入 蚀刻 微结构 半导体
分 类 号:TN305.7[电子电信—物理电子学]
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