变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究  

Electron transport properties of MM-HEMT with varied channel indium contents

作　　者：仇志军[1] 蒋春萍[1] 桂永胜[1] 疏小舟[1] 郭少令[1] 褚君浩[1] 崔利杰[2] 曾一平[2] 朱战平[2] 王保强[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《物理学报》2003年第11期2879-2882,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :2 0 0 1GB3 0 95 0 6)资助的课题~~

摘　　要：在变缓冲层高迁移率晶体管 (MM_HEMT)器件中 ,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用 .通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象 ,结合变温度的Hall测量 ,系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系 .结果表明 ,沟道中In组分为 0 6 5的样品 ,材料电学性能最好 ,In组分高于 0 6 5的样品 ,严重的晶格失配将产生位错 ,引起迁移率下降 ,大大影响材料和器件的性能 .Transport properties of two-dimensional electron gas (2DEG) are crucial to metamorphic high-electron-mobility transistors (MM-HEMT). We have investigated the variations of subband electron mobility and concentration versus temperature from Shubnikov-de Hass oscillations., and variable temperature Hall measurements. The results indicate that the electrical performance is the best when the In content is 0.65 in the channel for MM-HEMT. When the In content exceeds 0.65, a large lattice mismatch will cause dislocations and result in the decrease of mobility and the fall of performance in materials and devices.

关 键 词：变缓冲层高迁移率晶体管 MM-HEMT材料 量子振荡 毫米波器件 横向磁阻振荡 Shubnikov-de Hass振荡 微波电子学 

分 类 号：O472.4[理学—半导体物理]