MM-HEMT材料

作品数：3被引量：6H指数：1
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相关作者：朱战平曾一平崔利杰王保强蒋春萍更多>>
相关机构：中国科学院南京电子器件研究所更多>>
相关期刊：《红外与毫米波学报》《物理学报》《微纳电子技术》更多>>
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MBE生长InGaAs/In_(0.32≤x≤0.52)Al_(1-x)As MM-HEMT材料
《微纳电子技术》2003年第6期26-28,共3页邱凯 张晓娟 陈建炉 
在GaAs衬底上利用分子束外延技术生长了不同In组分的MetamorphicHEMT(简称MM-HEMT)。通过对MM-HEMT材料中台阶式缓冲层材料种类、台阶宽度、初始组分以及生长温度等生长参数、生长条件和结构参数进行优化,得到了具有良好电学性能的MM-H...
关键词：高电子迁移率晶体管 分子来外延 缓冲层 INGAAS 铟钙砷化合物 MM—HEMT材料 二维电子气迁移率 生长温度 
变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究被引量：6
《物理学报》2003年第11期2879-2882,共4页仇志军 蒋春萍 桂永胜 疏小舟 郭少令 褚君浩 崔利杰 曾一平 朱战平 王保强 
国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :2 0 0 1GB3 0 95 0 6)资助的课题~~
在变缓冲层高迁移率晶体管 (MM_HEMT)器件中 ,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用 .通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象 ,结合变温度的Hall测量 ,系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度...
关键词：变缓冲层高迁移率晶体管 MM-HEMT材料 量子振荡 毫米波器件 横向磁阻振荡 Shubnikov-de Hass振荡 微波电子学 
退火与未退火MM-HEMT材料中二维电子气的磁输运特性研究
《红外与毫米波学报》2002年第z1期79-82,共4页蒋春萍 郭少令 孙 全 黄志明 桂永胜 郑国珍 褚君浩 崔利杰 曾一平 朱战平 王保强 
采用变磁场霍耳测量,在1.5～90K的温度范围内,研究了经过快速热退火与未退火掺杂MM-HEMT材料中二维电子气的输运特性.通过对Shubnikov-de Hass(SdH)振荡曲线进行快速Fourier变换分析,获得了该样品沟道中子能带上的电子浓度等信息,并采...
关键词：变磁场霍耳测量 MM-HEMT材料 二维电子气 快速热退火. 
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