155 Mbit/s和622 Mbit/s速率0.6μm CMOS工艺光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片  

155 Mbit/s and 622 Mbit/s Data Speed ICs for Optical Access Networks in 0.6μm CMOS Technology

作　　者：梁帮立[1] 王志功[1] 田俊[1] 章丽[1] 熊明珍[1] 

机构地区：[1]东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096

出　　处：《高技术通讯》2003年第10期1-4,共4页Chinese High Technology Letters

基　　金：86 3计划 (86 3 SOC Y 4 2 )资助项目

摘　　要：采用国内的CSMC HJ 0 .6 μmCMOS工艺实现了 15 5Mb/s和 6 2 2Mb/s速率的光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片。芯片测试结果表明 ,激光二极管驱动电路(LDD) ,前置放大器 (Pre Amp)和限幅放大器 (LA)集成电路达到了世界同类集成电路的水平。Several key chips operating at the bit rates of 155Mbit/s and 622Mbit/s for the use of optical access network are realized in the CSMC HJ 0.6μm CMOS technology. According to the experimental results, the laser diode driver, the preamplifier, and the limiting amplifier achieve the same level as their counterparts worldwide.

关 键 词：光纤通信 激光二极管驱动电路 前置放大器集成电路 限幅放大器集成电路 CMOS工艺 芯片 

分 类 号：TN929.11[电子电信—通信与信息系统]