单粒子瞬态脉冲宽度量化与自测试电路设计  

Test Circuit of Pulse Width Measurement and Self-Test for Single-Event Transient

作　　者：向一鸣[1] 蒋见花[1] 戴睿[1] 王雷[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《微电子学与计算机》2014年第10期43-47,共5页Microelectronics & Computer

基　　金：国家重大科技专项(2009ZX02306003;2009ZX02305013)

摘　　要：为了研究组合逻辑中单粒子瞬态(Single-Event Transient,SET)的特性,采用片上测量技术提出了一套SET脉冲宽度测量方案.针对SET脉冲特性,设计了一种基于自主触发的脉冲测量电路,提出了一种用于自测试验证的脉冲激励电路.基于本所350nm SOI工艺,完成了一款集脉冲收集、测量、自测试于一体的SET重离子辐射测试芯片.通过仿真分析,验证了该方案的有效性.此方案为其他深亚微米工艺下SET研究提供了参考.A scheme for on-chip measuring pulse width of single-event transient (SET) has been implemented in our 350 nm silicon-on-insulator technology in order to research the characteristics of SET in combinational circuit .A pulse measurement circuit basing on autonomous detection technology is designed .A pulse generation circuit that used for chip self-tests and verification is proposed .The simulation results indicate the availability of this scheme , and provide some references for other deep sub-micron processes .

关 键 词：单粒子瞬态(SET) 辐射效应 片内测试 SOI 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]