光刻技术在铟柱制备工艺中的应用研究  

The Application of photolithography in Indium Bump Fabrication

作　　者：杨春丽[1] 黄江平[1] 黎力[1] 杨登全[1] 张丽华[1] 李玉英[1] 

机构地区：[1]昆明物理研究所,云南昆明650223

出　　处：《红外技术》2004年第1期67-70,共4页Infrared Technology

摘　　要：简要介绍了光刻在 1 2 8× 1 2 8混合式非制冷热释电焦平面 (UFPA)探测器制作中的重要地位 ,重点介绍了光刻在铟柱制备中的应用研究。对铟柱成形的几种方法进行了比较 ,确定了剥离法制备铟柱。并进行了光刻实验与分析 ,得到了满足 1 2 8× 1 2The paper introduces the important role of photolithography in the study of 128×128pixels uncooled focal plane arrays(UFPA). And photolithography plays a vital part in indum bump fabrication. Compared with the matter of indum bump fabricated, we are convicted peel off is actual. With the analysis of the experiment ,we get the excellent indum bump.

关 键 词：光刻 铟柱制备 剥离法 UFPA 探测器 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]