三色碳纳米管场发射灯的研制  

作　　者：冯涛[1] 李琼[2] 张继华[1] 于伟东[1] 柳襄怀[1] 王曦[1] 徐静芳[2] 邹世昌[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室，上海200050 [2]华东师范大学电子科学与技术系，上海200062

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第B05期161-165,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术。采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能，处理后阴极的阈值场强从4V／μm降到～1V／μm，场发射电流密度在4．5V／μm时达到了2．53mA／μm^2，发射点密度从～10^3／cm^3增加到～10^5／cm^2。在此基础上，成功地设计和封装了三极管结构的三色高亮度碳纳米管场发射灯器件。

关 键 词：碳纳米管 场发射 丝网印刷法 氢等离子体表面处理 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]