云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 李琼

李琼: 作品数：29被引量：36H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：华东师范大学更多>>; 发文主题：场发射显示器硅碳纳米管场发射阵列冷阴极更多>>; 发文领域：电子电信理学一般工业技术经济管理更多>>; 发文期刊：《微电子学》《微细加工技术》《材料研究学报》《发光学报》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>

CNT-FED点阵显示器件的研制及其驱动电路设计: 《光电子技术》2006年第2期91-93,共3页戴丽娟冯涛蒋军王曦柳襄怀李琼张峰; 上海市纳米专项(0214nm085); 采用丝网印刷技术和等离子体表面处理方法,制备了16×16点阵式碳纳米管场发射显示器件(Carbon N anotube F ield Em ission D isp lay,CNT-FED)。根据CNT-FED的结构特点,研究了CNT-FED的显示驱动原理,设计了以51单片机为控制核心的驱动...; 关键词：碳纳米管场发射显示器驱动电路丝网印刷

可驱动碳纳米管冷阴极数码管的研制: 《真空电子技术》2006年第1期30-32,40,共4页冯涛戴丽娟蒋军王曦柳襄怀李琼; 上海市纳米专项基金(0214nm085)资助项目; 采用印刷技术实现了碳纳米管阴极的大面积、低成本制备,并采用等离子体表面改性技术来提高阴极的发射性能。在此工艺基础上,自行设计和封装了七段显示的碳纳米管冷阴极数码管,配以简单的驱动电路,实现了碳纳米管冷阴极数码管的动态显示。; 关键词：碳纳米管数码管场发射冷阴极

Fabrication and Field Emission of Silicon Nano-Crystalline Film被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2004年第6期639-644,共6页王伟明郁可丁艳芳李琼朱自强; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :10 3 740 2 7,6992 5 40 9)~~; The silicon nano-crystalline (nc-Si) film is fabricated on <100> orientation,0.01Ω·cm resistivity,and p-type boron-doped silicon wafer by the anodic etching.The microstructure and the orientation of nc-Si are examin...; 关键词：NC-SI anodic etching uniform orientation field emission

三色碳纳米管场发射灯的研制被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2003年第B05期161-165,共5页冯涛李琼张继华于伟东柳襄怀王曦徐静芳邹世昌; 报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术。采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能，处理后阴极的阈值场强从4V／μm降到～1V／μm，场发射电流密度在4...; 关键词：碳纳米管场发射丝网印刷法氢等离子体表面处理

类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制被引量：7: 《功能材料与器件学报》2002年第3期293-296,共4页冯涛茅东升李炜柳襄怀王曦张福民李琼徐静芳诸玉坤; 国家自然科学基金资助(No.59972039);国家973资助(No.G2000067207-2); 采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达...; 关键词：类金刚石薄膜阴极阵列场发射显示器

涂布法制备碳纳米管场发射阴极及其性能的研究被引量：9: 《发光学报》2002年第4期406-408,共3页冯涛柳襄怀王曦李琼徐静芳诸玉坤; 国家自然科学基金资助项目(59972039);国家973计划资助项目(G2000067207-2); 碳纳米管（CNT）作为场发射阴极（FEC）具有很好的性能。报导了利用粉末状碳纳米管制作CNT-FEC的方法,包括涂布方法、纯化方法和表面处理方法。主要关心的FEC性能为电子发射均匀性、电流密度和寿命。; 关键词：涂布法制备场发射阴极碳纳米管 FEC

提高FEA电子发射可靠性和均匀性的几种结构: 《微细加工技术》2002年第1期76-86,70,共12页范忠李琼徐静芳郭方敏茅东升; 国家自然科学基金资助项目 (6 96 710 11); 首先介绍了稳定FEA电子发射均匀性和可靠性的几种结构 ,然后提出了以离子注入和干法刻蚀技术 ,在常规电阻率P型衬底上制成具有串联电阻负反馈特性的单片硅FEA。这些设计和工艺可供研究人员在设计具体FEA电子源的不同应用领域 ,如平版显...; 关键词：FEA 电子发射可靠性均匀性结构

单片Si-FED的结构和设计被引量：1: 《半导体技术》2001年第5期50-54,共5页范忠李琼徐静芳茅东升; 国家自然科学基金资助项目!(69671011); 根据场发射显示器（ＦＥＤ）的工作原理和所要求的电学参数，利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术，设计和试制了显示面积为１０．８ｍｍ×１０．８ｍｍ的研究性器件。版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈电阻...; 关键词：场发射显示器干法刻蚀离子注入硅

离子束溅射制备ZnO:Zn荧光薄膜被引量：4: 《材料研究学报》2001年第1期33-40,共8页李炜茅东升张福民王曦柳襄怀邹世昌诸玉坤李琼徐静芳; 八六三计划新材料领域!863-715-008-0011;国家973规划!G200067207-2;国家自然科学基金!59972; 用离子束溅射法制备了用于场发射显示器（ＦＥＤ）的ＺｎＯ：Ｚｎ荧光薄膜采用ＲＢＳ、ＸＲＤ、ＡＦＭ、Ｈａｌｌ和ＰＬ谱等手段表征了热处理前后的薄膜ＲＢＳ结果表明薄膜中存在一定数量的过量Ｚｎ．沉积态的薄膜中同时含有非晶...; 关键词：荧光薄膜热处理光致发光场发射显示器氧化锌离子束溅射

SP^2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响被引量：2: 《华东师范大学学报（自然科学版）》2000年第2期45-48,共4页周江云李琼徐静芳茅东升柳襄怀; 国家自然科学基金资助!(No.69671 0 1 1 ); 该文研究了真空磁过滤弧沉积方法制备的非晶金石薄膜 (a-DF)的电子场发射性能 ,SP2 键含量不同的薄膜的场发射性能有很大的差异 ,SP2 键含量越高 ,阈值电场越小 ,发射电流越大 ,同时失效率也较高。SP2 键含量为 6 .5% ,2 0 % ,40 %的薄...; 关键词：非晶金刚石薄膜 SP^2键场发射 FAD

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