范忠

作品数：13被引量：19H指数：2
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供职机构：华东师范大学信息科学技术学院更多>>
发文主题：硅在线监测场发射阵列MEMS等离子刻蚀更多>>
发文领域：电子电信理学金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《微细加工技术》《半导体技术》《材料导报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家杰出青年科学基金国家教育部博士点基金更多>>
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悬臂式RF MEMS开关的设计与研制被引量：9
《Journal of Semiconductors》2003年第11期1190-1195,共6页郭方敏 赖宗声 朱自强 贾铭 初建朋 范忠 朱荣锦 戈肖鸿 杨根庆 陆卫 
国家重点基础研究发展规划 (No.G19990 3 3 10 5 );国家杰出青年基金(批准号 :6992 5 40 9)资助项目~~
介绍了一种制作在低阻硅 (3～ 8Ω· cm)上的悬臂式 RF MEMS开关 .在 Cr/ Au CPW共面波导上 ,金 /Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂 ,静电受激作为开关机理 .当开关处于“关断”态 ,其隔离度小于- 35 d B(2 0～ 4 0 GHz) ;...
关键词：悬臂梁 插入损耗 隔离度 ANSYS软件 阈值电压 
压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第6期631-636,共6页郭方敏 朱自强 赖宗声 朱守正 朱荣锦 忻佩胜 范忠 贾铭 程知群 杨根庆 
国家重点基础研究发展规划 ( No.G19990 3310 5 );国家杰出青年基金 (批准号 :6992 5 40 9);上海 -应用材料研究与发展基金 ( No.0 0 0 4);上海市科学技术发展基金 ( Nos.15 2 110 66;0 12 2 610 2 8)资助项目~~
介绍了采用金、铝硅合金等金属分别用作压控式 RF MEMS开关阵列——移相器的可动薄膜 ,实验表明金的延展性比较好 ,弹性比铝硅合金稍差 ,启动电压较高 .相比较含硅 4%的轻质量铝硅合金具有较低的启动电压( 5 V ) ,用该弹性膜制备的 2 1...
关键词：RF MEMS开关 移相器 下拉电压 铝硅合金 
等离子体横向刻蚀硅的特性研究
《微细加工技术》2002年第2期38-40,52,共4页范忠 赖宗声 张文娟 郭方敏 
上海市科委AM基金资助项目 (1998年度 ) ;国家自然科学基金资助项目 (6 9876 0 12 ) ;高校博士点专项基金资助项目 (1998年度 ) ;国家 973项目<集成微光机电系统研究>资助项目 (G199903310 5 )
研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优...
关键词：等离子体 横向刻蚀硅 微电子机械系统 刻蚀气体 掩模 
提高FEA电子发射可靠性和均匀性的几种结构
《微细加工技术》2002年第1期76-86,70,共12页范忠 李琼 徐静芳 郭方敏 茅东升 
国家自然科学基金资助项目 (6 96 710 11)
首先介绍了稳定FEA电子发射均匀性和可靠性的几种结构 ,然后提出了以离子注入和干法刻蚀技术 ,在常规电阻率P型衬底上制成具有串联电阻负反馈特性的单片硅FEA。这些设计和工艺可供研究人员在设计具体FEA电子源的不同应用领域 ,如平版显...
关键词：FEA 电子发射 可靠性 均匀性 结构 
硅的横向刻蚀技术研究被引量：1
《微电子学》2001年第3期195-197,203,共4页范忠 赖宗声 秦元菊 孔庆粤 
国家自然科学基金 (6 9876 0 12 );高校博士点专项基金 (1998年度 )
研究了 SF6等离子体横向刻蚀硅的速率和对 Si O2 的选择性 ,主要通过改变 SF6气体流量和加入 O2 ,提高硅的横向刻蚀速率和对 Si O2 选择性。实验发现 ,加入 O2 能提高 SF6等离子对 Si的横向刻蚀速率和 Si/Si O2 的刻蚀速率比。Si的横向...
关键词：MEMS 等离子刻蚀 横向刻蚀 硅 
单片Si-FED的结构和设计被引量：1
《半导体技术》2001年第5期50-54,共5页范忠 李琼 徐静芳 茅东升 
国家自然科学基金资助项目!(69671011)
根据场发射显示器（ＦＥＤ）的工作原理和所要求的电学参数，利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术，设计和试制了显示面积为１０．８ｍｍ×１０．８ｍｍ的研究性器件。版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈电阻...
关键词：场发射显示器 干法刻蚀 离子注入 硅 
界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响被引量：3
《中国科学（E辑）》1999年第6期506-511,共6页茅东升 赵俊 李炜 王曦 柳襄怀 诸玉坤 范忠 周江云 李琼 徐静芳 
国家"八六三"高科技计划资助项目
在Au/Si和Ti/Si和Si 3种不同的衬底材料上 ,通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp3 键含量非晶金刚石薄膜 (amorphousdiamond ,AD) .使用阳极覆盖有低压荧光粉的二极管型结构 ,对其电子场发射性能和荧光显示进行了研究 .测试表明 ...
关键词：非晶金刚石薄膜 电子场发射性能 界面过渡层 
纵向结构真空磁敏传感器的原理和制造
《华东师范大学学报（自然科学版）》1998年第4期56-62,共7页陈春辉 范忠 刘新福 李琼 徐静芳 杨根庆 
该文介绍了用场发射阵列作为电子源的纵向磁敏感传感器（VerticalFieldEmissionArraysMasneticFieldSensor－VFEAMFS）的工作原理，分析了这种磁敏传感器的灵敏度，并阐述了VFEAMFS器件的制造和实验结果以及器件的基本工作参数和提高灵...
关键词：磁敏传感器 纵向结构 VFEAMFS 真空磁敏传感器 
金刚石薄膜电子场发射研究进展被引量：2
《材料导报》1998年第6期27-31,共5页茅东升 赵俊 李炜 王曦 柳襄怀 诸玉坤 周江云 范忠 李琼 徐静芳 
国家863计划支持项目
综述了近年来金刚石和类金刚石薄膜电子场发射性能的研究进展。金刚石薄膜是出色的场发射材料,由于其很低的或者是负的电子亲和势(导带能级位于真空能级之上)和良好的化学稳定性,在真空微电子和场发射显示领域具有广阔的应用前景。
关键词：金刚石 薄膜 电子场发射性能 研究进展 制备 
等离子刻蚀制造硅场发射阵列
《微细加工技术》1998年第1期27-32,共6页范忠 李琼 刘新福 周江云 徐静芳 
国家自然科学基金;中科院上海冶金所功能材料实验室资助
本文介绍了一种全干法二步刻蚀制造高发射效率的场发射阵列（ＦｉｅｌｄＥｍｉｔｔｅｒＡｒｒａｒｙ－ＦＥＡ）的方法。首先利用等离子刻蚀（ＰｌａｓｍａＥｔｃｈｉｎｇ－ＰＥ）的各向同性在由ＳｉＯ２掩模的硅衬底上刻出平顶尖锥，然...
关键词：等离子刻蚀 反应离子刻蚀 硅 FEA 硅尖锥 
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