等离子刻蚀制造硅场发射阵列  

PLASMA ETCHING FOR FABRICATION OF FIELD EMITTER ARRAYS

作　　者：范忠[1] 李琼[1] 刘新福[1] 周江云[1] 徐静芳[1] 

机构地区：[1]华东师范大学电子科学技术系

出　　处：《微细加工技术》1998年第1期27-32,共6页Microfabrication Technology

基　　金：国家自然科学基金;中科院上海冶金所功能材料实验室资助

摘　　要：本文介绍了一种全干法二步刻蚀制造高发射效率的场发射阵列（ＦｉｅｌｄＥｍｉｔｔｅｒＡｒｒａｒｙ－ＦＥＡ）的方法。首先利用等离子刻蚀（ＰｌａｓｍａＥｔｃｈｉｎｇ－ＰＥ）的各向同性在由ＳｉＯ２掩模的硅衬底上刻出平顶尖锥，然后再利用反应离子刻蚀（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ－ＲＩＥ）的各向异性，在ＰＥ的基础上进一步刻蚀来拔高尖锥并减少尖锥顶部的面积，以得到理想形状的ＦＥＡ尖锥。这种方法比ＲＩＥ一步刻蚀法和湿法刻蚀加ＲＩＥ二步法简单可靠。

关 键 词：等离子刻蚀 反应离子刻蚀 硅 FEA 硅尖锥 

分 类 号：TN405.98[电子电信—微电子学与固体电子学] TN304.12