等离子体横向刻蚀硅的特性研究  

Study on Characteristics of Lateral Plasma Etching of Si

作　　者：范忠[1] 赖宗声[1] 张文娟 郭方敏[1] 

机构地区：[1]华东师范大学电子科学技术系,上海200062

出　　处：《微细加工技术》2002年第2期38-40,52,共4页Microfabrication Technology

基　　金：上海市科委AM基金资助项目 (1998年度 ) ;国家自然科学基金资助项目 (6 9876 0 12 ) ;高校博士点专项基金资助项目 (1998年度 ) ;国家 973项目<集成微光机电系统研究>资助项目 (G199903310 5 )

摘　　要：研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优良高频性能的MEMSRF/MW无源器件 ,如开关、传输线、电感和电容等。The Si lateral etching with SF 6+O 2 mixed plasma and SiO 2+Al as a mask is investigated.The experimental results show that Al is good mask to resist SF 6+O 2 plasma.So the bigger openings can be formed under the being suspended devices.As a result,the MEMS RF/MW passive devices with the lateral dimension of hundreds microns and good high frequency performance,such as switch,transmission line,inductor and capacitor,could be integrated on the silicon substrate by this technology.

关 键 词：等离子体 横向刻蚀硅 微电子机械系统 刻蚀气体 掩模 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]