秦元菊

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
发文主题：硅MEMS等离子刻蚀TMAH选择比更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《微电子学》更多>>
所获基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
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硅的横向刻蚀技术研究被引量：1
《微电子学》2001年第3期195-197,203,共4页范忠 赖宗声 秦元菊 孔庆粤 
国家自然科学基金 (6 9876 0 12 );高校博士点专项基金 (1998年度 )
研究了 SF6等离子体横向刻蚀硅的速率和对 Si O2 的选择性 ,主要通过改变 SF6气体流量和加入 O2 ,提高硅的横向刻蚀速率和对 Si O2 选择性。实验发现 ,加入 O2 能提高 SF6等离子对 Si的横向刻蚀速率和 Si/Si O2 的刻蚀速率比。Si的横向...
关键词：MEMS 等离子刻蚀 横向刻蚀 硅 
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