高调节范围RFMEMS压控电容的设计与模拟  

作　　者：梁雪冬[1] 刘泽文[1] 刘理天[1] 李志坚[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所，北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第B05期179-182,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：对传统平行极板MEMS压控电容的局限性进行了理论分析，提出了一种新型的高调节范围MEMS压控电容，它的特点在于使用了三对极板，其中的一对是电容极板，另外两对是控制极板，电容极板用于传输交流信号，而直流控制电压施加在控制极板上，使用有限元分析软件Ansys对其进行了建模与仿真，得出其调节范围高达214％，大大超出了传统的平板电容在调节范围上的自然限制(50％)，设计了该电容的工艺流程，其工艺流程比较简单，很容易集成在标准的CMOS集成电路中。

关 键 词：MEMS压控电容 崩塌效应 牺牲层 聚酰亚胺 

分 类 号：TM532.5[电气工程—电器]