基于STM的有机电双稳材料电学性质的表征与改性  

作　　者：严学俭[1] 李旭[1] 张群[1] 王伟军[1] 吉小松[1] 邱伟民[1] 华中一[1] 

机构地区：[1]复旦大学材料科学系，上海200433

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第B05期114-118,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：利用STM对金属有机络合物电双稳材料Ag—TCNQ的薄膜进行电学性质的表征与改性，在针尖强电场的作用下，当电压达到某一阈值后薄膜从高阻态跃迁至低阻态，这两种高低阻态可分别定义为一个存储单元的“O”与“1”状态，在STM的常规工作模式下，测量了薄膜的电学性质的变化；考虑到在STM的常规恒流工作模式下，针尖与样品之间的隧道结是影响电学性质的表征与改性的一个不可避免的重要因素，而它并不是材料本身的属性，为此利用STM进行了针尖与样品“接触式”的测试与分析，并且与常规工作模式进行了比较。

关 键 词：STM 有机材料 电双稳态 表征和表面改性 

分 类 号：TB43[一般工业技术] TN605[电子电信—电路与系统]