张群

作品数：38被引量：115H指数：6
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供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
发文主题：薄膜晶体管氧化铟非晶锌STM更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《上海计量测试》《物理化学学报》《电子显微学报》《真空电子技术》更多>>
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射频磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟锡透明导电薄膜性能的影响被引量：4
《复旦学报（自然科学版）》2024年第2期169-177,共9页许阳晨 张群 
ITO薄膜是目前应用最为广泛的透明导电薄膜,通过在ITO中掺杂其他金属可以进一步改善ITO薄膜的光学和电学性能。本文采用射频(RF)磁控溅射法制备了掺钨氧化铟锡(ITO∶W)透明导电薄膜,研究了薄膜厚度、表面形貌、晶体结构以及光学和电学...
关键词：ITO薄膜 掺钨 透明导电氧化物 射频磁控溅射 
非晶氧化锡铋薄膜晶体管偏压稳定性的研究
《复旦学报（自然科学版）》2019年第1期103-108,共6页傅若凡 杨建文 张群 
国家自然科学基金(61471126);上海市科委科研计划(16JC1400603)
本文通过射频磁控溅射方法,在Si-SiO2衬底上制备了底栅层错型的非晶氧化锡铋(a-SnBiO)薄膜晶体管(TFTs),并表现出优良的开关特性.所制备的a-SnBiO TFTs阈值电压为0.7V,开关比为2.0×107.并且,通过在环境真空中的测试研究了a-SnBiO TFTs...
关键词：偏压稳定性 非晶氧化锡锌铋 薄膜晶体管 
非晶铟锌钨氧化物薄膜晶体管的电学性能和稳定性研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2018年第9期772-778,共7页康皓清 傅若凡 杨建文 张群 
国家自然科学基金项目(61471126);上海市科委科研计划项目(16JC1400603)
采用射频磁控溅射法制备了非晶铟锌钨氧化物(a-IZWO)薄膜和以此半导体薄膜为沟道层的薄膜晶体管。研究了沟道宽长比和退火时间对器件电学性能的影响。结果表明,沟道宽长比为400μm:400μm的器件经过120min200℃空气退火后其电学性能达...
关键词：非晶铟锌钨氧化物 薄膜晶体管 电学性能 稳定性 
铋掺杂氧化铟锌薄膜晶体管的研究被引量：2
《复旦学报（自然科学版）》2017年第3期309-313,320,共6页皮树斌 杨建文 韩炎兵 张群 
国家自然科学基金(61471126);上海市科委科研计划(16JC1400603)
采用射频磁控溅射法制备了以非晶铋掺杂氧化铟锌(a-IZBO)为沟道层的薄膜晶体管(TFTs).相比本征的氧化铟锌薄膜晶体管,a-IZBO-TFTs显示出更低的关态电流,正向偏移的开启电压,表明铋掺杂能有效抑制载流子浓度.在铋掺杂含量为原子百分比8.6...
关键词：铋掺杂 氧化铟锌铋(IZBO) 薄膜晶体管(TFT) 
氧流量对a-IWO薄膜及其薄膜晶体管电学性能的影响
《复旦学报（自然科学版）》2016年第6期766-771,共6页孟婷 杨建文 张智翔 张群 谢汉萍 
国家自然科学基金(61136004,61471126)
本文采用射频磁控溅射方法,制备了非晶掺钨氧化铟(a-IWO)薄膜及其薄膜晶体管(TFTs),并探讨了溅射过程中氧流量对a-IWO薄膜及其TFTs性能的影响.研究发现,随着沉积过程中氧流量的增加,a-IWOTFTs器件的饱和迁移率降低,阈值电压正向偏移,说...
关键词：a-IWO沟道层 薄膜晶体管 氧流量 
双沟道层对氮掺杂非晶氧化铟锌薄膜晶体管的影响被引量：2
《无机材料学报》2016年第7期745-750,共6页王乃倩 张群 谢汉萍 
国家自然科学基金重点项目(61136004;61471126)~~
采用射频磁控溅射法,在热氧化p型硅基片上制备了双沟道层非晶氧化铟锌(a-IZO)和氮掺杂氧化铟锌(a-IZON)薄膜晶体管(TFTs),并研究了双沟道层对器件电学性能和温度稳定性的影响。研究发现,a-IZO/IZON双沟道层TFTs具有较高的场效应迁移率,...
关键词：双沟道层 氮气掺杂 温度稳定性 薄膜晶体管 
氮掺杂非晶氧化铟锌薄膜晶体管的器件稳定性改善研究被引量：3
《真空科学与技术学报》2015年第9期1054-1058,共5页严海 蔡韵竹 张群 谢汉萍 
国家自然科学基金项目(61071005;61136004);教育部博士点基金项目(2011007110010)
采用射频磁控溅射方法,在P型硅基片上制备了非晶掺氮氧化铟锌沟道层及其薄膜晶体管（a-IZO∶N-TFTs）器件,探讨了氮气对a-IZO∶N-TFTs性能和电学稳定性的影响。研究发现,当沉积过程中的氮气流量增加时,a-IZO∶N-TFTs的阈值电压（Vth）...
关键词：薄膜晶体管 IZO 氮气掺杂 稳定性 
SiN_x介质层非晶IGZO薄膜晶体管的光照稳定性研究
《真空科学与技术学报》2015年第7期807-812,共6页崔璨 蔡明谚 张鼎张 张群 
国家自然科学基金项目(61071005;61136004);教育部博士点基金项目(20110071110010)
通过对比电特性曲线、阈值电压、亚阈值摆幅等参数的变化趋势,深入分析了低温真空制备的Si Nx介质层非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体管(TFT)在光照下的稳定性机理。实验结果表明,器件在光照下的稳定性良好。但如果在施加偏压的过程中同时...
关键词：IGZO SINX 薄膜晶体管 光照 稳定性 
溶液法制备氧化铝介质层的非晶铟锌氧化物薄膜晶体管
《复旦学报（自然科学版）》2014年第6期758-763,共6页庞抒见 浦海峰 张群 
国家自然科学基金资助项目(61136004;61071005);教育部博士点基金资助项目(20110071110010)
采用旋涂法制备了氧化铝栅介质层薄膜.通过XRD和AFM分析表征了薄膜的结晶性和表面平整性.分光光度计测试表明薄膜在可见光范围的平均透射率大于85%.采用MIM结构研究其漏电流密度,在电场强度为1MV/cm时仅为3×10-9 A/cm2,表明可以用作栅...
关键词：氧化铝 介质层 薄膜晶体管 旋涂法 
直流磁控溅射制备SnO_2薄膜的阻变特性研究被引量：4
《真空科学与技术学报》2012年第9期779-783,共5页刘宝营 张群 
自然科学基金项目(61071005;61136004);博士点基金项目(20110071110010)
采用直流磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2基片上分别以三种不同的基板温度和后热处理工艺制备了二氧化锡(SnO2)薄膜。采用X射线衍射仪对三种薄膜的晶格结构进行了分析表征,通过Keithley 4200半导体参数分析仪对薄膜的阻变特性进行了测试。实验...
关键词：二氧化锡 薄膜 直流磁控溅射 阻变特性 导电细丝 
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