ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质  

Preparation and Properties of Conducting Transparent ZnO-SnO_2 Films Deposited at Room Temperature

作　　者：黄树来[1] 马瑾[1] 刘晓梅[2] 马洪磊[1] 孙征[1] 张德恒[1] 

机构地区：[1]山东大学物理与微电子学院,济南250100 [2]山东大学计算机学院,济南250100

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第1期56-59,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 44 );教育部博士点基金 ( No.2 0 0 2 0 42 2 0 5 6)资助项目~~

摘　　要：在室温下 ,采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上制备出 Zn O- Sn O2 透明导电薄膜 .制备的薄膜为非晶结构 ,并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压 .薄膜的最小电阻率为 7.2 7× 10 - 3Ω· cm,载流子浓度为4 .3× 10 1 9cm- 3、霍尔迁移率为 2 0 .5 cm2 / (V· s) ,在可见光范围内的平均透过率达到了 90 % .Transparent conducting ZnO-SnO 2 films are prepared on Corning 7059 glass substrates at room temperature by RF magnetron sputtering.The deposited films are amorphous,and the resistivities of the films depend greatly on the oxygen pressure.The resistivity ,carrier concentration and Hall mobility of the deposited films is 7.27×10 -3Ω·cm,4.3×10 19cm -3 and 20.5cm 2/(V·s),respectively.The optical transmittance of the films is above 90%.

关 键 词：透明导电膜 ZnO—SnO2 射频磁控溅射 

分 类 号：TN202[电子电信—物理电子学]