孙征

作品数：2被引量：34H指数：2
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供职机构：山东大学物理学院更多>>
发文主题：磁控溅射超晶格镁半导体材料发光特性更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《发光学报》更多>>
所获基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
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MgZnO薄膜及其量子阱和超晶格的发光特性被引量：21
《发光学报》2004年第2期111-116,共6页张德恒 张锡健 王卿璞 孙征 
国家自然科学基金(60076006);教育部博士点基金(2000042204)
MgO和ZnO形成合金Mg_xZn_(1-x)O的带隙可以在3.3～7.9eV之间变化,在制备紫外波段光电器件方面有着广阔的应用前景。由ZnO和MgZnO交替沉积而成的ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱和超晶格在激光器、光探测器和其他光电器件方面也有潜在的应用价...
关键词：氧锌镁薄膜 量子阱 超晶格 光致发光 受激发射 半导体材料 
ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质被引量：13
《Journal of Semiconductors》2004年第1期56-59,共4页黄树来 马瑾 刘晓梅 马洪磊 孙征 张德恒 
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 44 );教育部博士点基金 ( No.2 0 0 2 0 42 2 0 5 6)资助项目~~
在室温下 ,采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上制备出 Zn O- Sn O2 透明导电薄膜 .制备的薄膜为非晶结构 ,并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压 .薄膜的最小电阻率为 7.2 7× 10 - 3Ω· cm,载流子浓度为4 .3× 10 1 9c...
关键词：透明导电膜 ZnO—SnO2 射频磁控溅射 
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