远红外探测技术的进展  

作　　者：顾聚兴 

出　　处：《红外》2004年第2期40-45,共6页Infrared

摘　　要：用分子束外延(MBE)方法生长了Ⅱ-Ⅵ族本征甚长波红外(VLWIR,λc约为20μm～50μm)材料——HgCdTe合金和HgCdTe/CdTe超晶格。用X射线衍射、常规傅里叶变换光谱学、霍尔效应测量技术和透射电子显微技术(TEM)对外延层进行了表征。为了验证这些材料在甚长波红外谱区的适用性,用这些材料制成了光导器件并测得了它们的光谱响应。

关 键 词：分子束外延 远红外探测 碲镉汞材料 探测器 Ⅱ-Ⅵ族超晶格 霍尔效应 傅里叶变换光谱学 透射电子显微技术 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]