射频偏置ECR-PECVD等离子体参数测量  

Measurement of plasma parameters in rf-biased ECR-PECVD

作　　者：许沭华[1] 任兆杏[1] 沈克明[1] 

机构地区：[1]中国科学院等离子体物理研究所,合肥230031

出　　处：《核聚变与等离子体物理》2004年第1期63-66,共4页Nuclear Fusion and Plasma Physics

基　　金：国家自然科学基金项目(19835030)

摘　　要：利用双探针对ECR PECVD装置中基片在射频偏置下的等离子体参数进行了测量。同时测量了在射频偏置下微波功率、磁场电流、进气量等参数对ECR PECVD等离子体参数的影响。结果表明,在ECR PECVD等离子体装置中,基片射频偏置对电子温度有影响,而等离子体密度主要由微波功率所决定。The plasma parameters in an rf-biased ECR-PECVD have been measured using double Langmuir probes.The effect of microwave power,magnetic electrical curent and gas pressure on the plasma parameters in ECR-PECVD under rf biasing have also been measured.The results indicate that the rf biasing in our dual ECR-rf configuration enhances the electron temperature,but the plasma density is mainly affected by ECR.

关 键 词：射频偏置 ECR-PECVD 双探针 电子温度 等离子体密度 微波功率 磁场电流 

分 类 号：TL631.2[核科学技术—核技术及应用]