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作 者:张波[1] 李肇基[1] 方健[1] 罗萍[1] 毛伟[1] 罗小蓉[1] 李泽宏[1] 牛全民[1] 杨舰[1] 乔明[1] 陈林[1]
机构地区:[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都610054
出 处:《微电子学》2004年第2期106-109,115,共5页Microelectronics
摘 要: 文章提出了功率系统级芯片(PSoC,PowerSystemonChip)的概念,介绍了PSoC的几种基本技术;综述了该领域内近年来的一些研究成果:PSoC中超深亚微米非均匀沟道DMOS阈值特性,He注入高速瞬态特性,新型功率变换调制模式———脉冲跨周期调制(PSM,PulseSkipModulation)等。期望能对PSoC的发展起到抛砖引玉的作用。The concept of PSoC (Power System on Chip) is proposed, and some basic technologies for PSoC's are presented, which include circuit and system, device and process, as well as the design methodology. Achievements in this field accomplished by the authors in recent years are summarized, which include threshold characteristics of very deep sub-micron DMOS with non-uniform channel in PSoC, transient characteristics of He ion implanted devices, and a new mode of modulation--PSM(Pulse Skip Modulation)--for power converters. It is desirable that this paper could bring much better ideas into the development of PSoC's.
关 键 词:功率系统级芯片 脉冲跨周期调制 功率集成 非均匀沟道DMOS
分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
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