Stress Induced Leakage Current in Different Thickness Ultrathin Gate Oxide MOSFET  

不同厚度超薄栅氧化物MOSFET的应力诱导漏电流(英文)

作　　者：张贺秋[1] 许铭真[1] 谭长华[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第3期257-261,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(No.G2000036503);教育部博士点基金(No.97000113)资助项目~~

摘　　要：A study of the gate current variation is presented for various thickness ultrathin gate oxides ranging from 1.9 to 3.0nm under the constant voltage stress.The experimental results show the stress induced leakage current(SILC) includes two parts.One is due to the interface trap-assisted tunneling.The other is owing to the oxide trap-assisted tunneling.研究了不同厚度的超薄栅 1.9nm到 3.0 nm器件在恒压应力下的栅电流变化 .实验结果显示应力诱导漏电流包括两个部分 ,一部分是由界面陷阱辅助隧穿引起的 ,另一部分是氧化物陷阱辅助隧穿引起的 .

关 键 词：stress induce leakage current ULTRATHIN MOSFET TRAP 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]