Electrical Performance of Static Induction Transistor with Mixed I-V Characteristics  

具有混合I- V特性的静电感应晶体管的电性能(英文)

作　　者：王永顺[1] 刘肃[1] 李思渊[1] 胡冬青[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所,兰州730000

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第3期266-271,共6页半导体学报（英文版）

摘　　要：The mixed non-saturating I-V characteristics of static induction transistor (SIT) are investigated.The optimum matching relations among the structural,material,and technological parameters are also presented.The technological experiments demonstrate that the channel parameters play a critical role in determining whether it is a mixed,triode-like or pentode-like I-V characteristics.The general control principles,methods,and criterions of fabrication parameters as well as the effect of control factor are analytically discussed.The results are useful for design and fabrication of SIT,especially for SIT with mixed I-V characteristics.研究了具有混合型 I- V特性的静电感应晶体管 ,提出了实现混合 I- V特性所必需的器件结构参数、材料参数和工艺参数之间的最佳匹配关系 .工艺实践表明沟道尺寸在确定器件特性是混合型、类三极管型还是类五极管型方面有着重要作用 .讨论了静电感应晶体管性能控制的一般原则、方法和制造参数的控制判据以及控制因子 β的作用 .研究结果对静电感应晶体管的设计和制造 ,特别对具有混合型 I- V特性的静电感应晶体管有实用价值 .

关 键 词：static induction transistor PINCH-OFF mixed characteristics SATURATION 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]