中、低能离子注入中的剂量效应及模拟方法  

Dose Effect in Low and Medium Energy Ion Implantation and Simulation Method

作　　者：施小康[1] 于民[1] 石浩[1] 黄如[1] 张兴[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第3期346-350,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目 ( No.G2 0 0 0 0 3 65 0 1)~~

摘　　要：在 CMOS工艺超浅结形成过程中 ,中、低能离子注入的剂量效应直接影响杂质浓度的分布和超浅结的形成 .文中基于实验数据对剂量效应对注入离子浓度分布曲线的影响进行了分析 ,这种影响随着注入粒子种类的改变而表现在不同的方面 .同时运用分子动力学方法对剂量效应进行了模拟 ,模拟结果很好地符合了实验数据 .The effect of dose on range profiles of medium and low energy ion implantations used in formation of ultra shallow junction is discussed in the terms of SIMS measurement and computer simulation.SIMS measurements on different kinds of ion implantations show that the influence of dose on concentration profile has different features.And the dose effect is also studied by molecular dynamics simulation.The comparison of computed results with experimental data shows good agreement.

关 键 词：离子注入 剂量效应 模拟 分子动力学 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]